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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 68 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0252 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 78 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC252N10NSFGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.0252ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC265N10LSF G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSC265N10LSFG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC265N10LSFGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BS-C281ND | BRTLED |
获取价格 |
0.28(7.10MM)single DIGIT LED DISPLAY |
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| BS-C281RD-B | BRTLED |
获取价格 |
0.28(7.00MM)single DIGIT LED DISPLAY |
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| BS-C282RD-A | BRTLED |
获取价格 |
7.00mm (0.28) high single digit seven segments dispaly |
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| BS-C282RD-B | BRTLED |
获取价格 |
7.00mm (0.28) high single digit seven segments dispaly |
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| BS-C283ND | BRTLED |
获取价格 |
0.28(7.10MM) single DIGIT LED DISPLAY |
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| BS-C283RD-B | BRTLED |
获取价格 |
7.00mm (0.28) high single digit seven segments dispaly |
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