BSC190N15NS3G

更新时间： 2024-11-20 06:44:23

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描述
OptiMOS3 Power-Transistor

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BSC190N15NS3G 数据手册

BSC190N15NS3 G

OptiMOS™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

150

• N-channel, normal level

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 150 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

BSC190N15NS3 G

Package

Marking

PG-TDSON-8

190N15NS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

200

I _D=50 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

170

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

125

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/175/56

Rev. 2.4

page 1

2009-11-04

12 3 4 5 6 7...9

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