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BSC027N04LSG

更新时间： 2024-09-25 06:44:19
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 382K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor

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BSC027N04LSG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：115 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.0041 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC027N04LSG 数据手册

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BSC027N04LS G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
40  
2.7  
100  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
PG-TDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• 100% Avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC027N04LS G  
PG-TDSON-8  
027N04LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
100  
88  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
GS=4.5 V,  
V
V
100  
72  
T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
24  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
400  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
115  
±20  
mJ  
V
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.04  
page 1  
2009-10-22  
1234567...10

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BSC027N04LSG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSC520N15NS3G INFINEON

完全替代

 OptiMOS™3 Power-Transistor
BSC190N15NS3G INFINEON

完全替代

 OptiMOS3 Power-Transistor

与BSC027N04LSG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC027N04LSGATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC027N06LS5 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor
BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC027N10NS5 INFINEON

获取价格

 		Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 packa
BSC028N03LSCG INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC028N03LSCGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC028N03MSCG INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC028N03MSCGATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC028N06LS3 G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
BSC028N06LS3G INFINEON

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 		OptiMOS3 Power-Transistor

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