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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC029N025SG
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BSC029N025SG

更新时间： 2024-09-25 02:56:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 370K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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BSC029N025SG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：GREEN, PLASTIC, TDSON-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：680 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：24 A
最大漏源导通电阻：0.0045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：78 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC029N025SG 数据手册

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BSC029N025S G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
25  
2.9  
100  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for notebook DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1 for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Logic level / N-channel  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
PG-TDSON-8  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• dv /dt rated  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Marking  
BSC029N025S  
PG-TDSON-8  
29N025S  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
100  
81  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
R
24  
thJA=45 K/W2)  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
200  
680  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=50 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=150 °C  
V GS  
P tot  
Gate source voltage  
Power dissipation  
±20  
78  
V
T C=25 °C  
T A=25 °C,  
W
2.8  
R
thJA=45 K/W2)  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
Rev. 0.94  
page 1  
2006-05-10  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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