型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC034N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS? 25V 成 | |
BSC034N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET | |
BSC034N03LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC034N03LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC034N06NS | INFINEON |
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OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化,例如 | |
BSC034N10LS5 | INFINEON |
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逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷,可在不影响导通 | |
BSC035N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和 | |
BSC035N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSC035N04LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 40V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC035N10NS5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET |