Datasheet > BSC037N03MSCGATMA1

BSC037N03MSCGATMA1

更新时间： 2024-11-13 21:10:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	293K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSC037N03MSCGATMA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.0048 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSC037N03MSCGATMA1 数据手册

浏览型号BSC037N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号BSC037N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号BSC037N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号BSC037N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号BSC037N03MSCGATMA1的Datasheet PDF文件第6页

BSC037N03MSC G

OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

Product Summary

Features

V _DS

3.7

4.8

100

• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)

• Low FOM_SWfor High Frequency SMPS

• 100% avalanche tested

R _DS(on),max

_GS=10 V

_GS=4.5 V

mΩ

I _D

• Improved switching behaviour

PG-TDSON-8

• N-channel

• Very low on-resistance R _DS(on)@ V _GS=4.5 V

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Superior thermal resistance

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC037N03MSC G

PG-TDSON-8

037N03MS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

_GS=10 V, T _C=25 °C

Continuous drain current

100

_GS=10 V, T _C=100 °C

_GS=4.5 V, T _C=25 °C

_GS=4.5 V,

T _C=100 °C

_GS=4.5 V, T _A=25 °C,

_thJA=50 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

400

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

T _C=25 °C

E _AS

V _GS

I _D=40 A, R _GS=25 Ω

±20

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 2.2

page 1

2009-10-22

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与BSC037N03MSCGATMA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC037N08NS5	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi
BSC037N08NS5T	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
BSC039N06NS	INFINEON	获取价格	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V
BSC040N08NS5	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi
BSC040N10NS5	INFINEON	获取价格	Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET
BSC040N10NS5SC	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 5 100 V power MOSFETs in SuperSO8 DS
BSC042N03LS G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
BSC042N03LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSC042N03LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC042N03MS G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成

与BSC037N03MSCGATMA1相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

25
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

9
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSC037N03MSCGATMA1

BSC037N03MSCGATMA1 技术参数

BSC037N03MSCGATMA1 数据手册

与BSC037N03MSCGATMA1相关器件

与BSC037N03MSCGATMA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSC037N03MSCGATMA1

BSC037N03MSCGATMA1 技术参数

BSC037N03MSCGATMA1 数据手册

与BSC037N03MSCGATMA1相关器件

与BSC037N03MSCGATMA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？