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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC047N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC047N08NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 80V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC048N025S | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC048N025SG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC048N025SG_09 | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| BSC049N03MSCG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC049N03MSCGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC0500NSI | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSC0500NSI_15 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSC0500NSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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