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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC042NE7NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC043N03MSCG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC043N03MSCGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC046N02KS G | INFINEON |
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Infineon’s innovative products serve the mark |
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| BSC046N02KSG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC046N02KSGAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 20V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC047N08NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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| BSC047N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC047N08NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 80V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC048N025S | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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