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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 5.46 | Samacsys Description： | MOSFET TRENCH <= 40V |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 14 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0028 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC0503NSI | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSC0503NSI_15 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSC0503NSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC0504NSI | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSC0504NSI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| BSC0504NSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC050N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
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| BSC050N03LSG | INFINEON |
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OptiMOSâ¢3 Power-MOSFET |
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| BSC050N03LSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC050N03LSGXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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