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BSC052N08NS5

更新时间: 2024-09-26 11:13:19
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 1315K
描述
OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies. In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapter. Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.

BSC052N08NS5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
雪崩能效等级(Eas):70 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:80 V
最大漏极电流 (ID):19 A最大漏源导通电阻:0.0052 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):380 A表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSC052N08NS5 数据手册

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BSC052N08NS5  
MOSFET  
OptiMOSTM5ꢀPower-Transistor,ꢀ80ꢀV  
SuperSO8  
5
8
6
7
7
Features  
6
5
8
•ꢀOptimizedꢀforꢀhighꢀperformanceꢀSMPS,ꢀe.g.ꢀsync.ꢀrec.  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance  
•ꢀN-channel  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
4
3
1
2
2
3
1
4
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
S 1  
8 D  
7 D  
Parameter  
Value  
Unit  
S 2  
S 3  
G 4  
VDS  
80  
V
RDS(on),max  
ID  
5.2  
95  
m  
A
6 D  
5 D  
Qoss  
39  
nC  
nC  
QG(0V..10V)  
32  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
BSC052N08NS5  
PG-TDSON-8  
052N08NS  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2019-10-31  

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