型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC059N04LS6 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 40V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC059N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor | |
BSC059N04LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC060N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
BSC060N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSC060N10NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC060P03NS3E G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 | |
BSC060P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor | |
BSC061N08NS5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi | |
BSC065N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |