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BSC067N06LS3GXT

更新时间： 2024-11-25 03:03:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 456K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC067N06LS3GXT 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：47 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.0067 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC067N06LS3GXT 数据手册

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BSC067N06LS3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
60  
6.7  
50  
V
• Ideal for high frequency switching and sync. rec.  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance RDS(on)  
• Superior thermal resistance  
• N-channel, logic level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
BSC067N06LS3 G  
Package  
Marking  
PG-TDSON-8  
067N06LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
50  
A
50  
50  
37  
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V GS=10 V, T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
15  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
T C=25 °C  
200  
Avalanche energy, single pulse4)  
E AS  
V GS  
I D=50 A, R GS=25 W  
47  
mJ  
V
Gate source voltage  
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
connection. PCB is vertical in still air.  
3) See figure 3 for more detailed information  
4) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.4  
page 1  
2013-09-18  
1234567...10

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