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BSC079N03LSCGATMA1

更新时间： 2024-11-05 14:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 386K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0127ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC079N03LSCGATMA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.65
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：10 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.0127 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC079N03LSCGATMA1 数据手册

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BSC079N03LSC G  
OptiMOS™3 Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
7.9  
50  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Improved switching behaviour  
PG-TDSON-8  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC079N03LSC G  
PG-TDSON-8  
079N03LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
50  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
32  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
39  
25  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
14  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
200  
35  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=30 A, R GS=25 Ω  
10  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.2  
page 1  
2009-10-23  
1234567...10

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