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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC085N025SG
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BSC085N025SG

更新时间： 2024-11-27 03:10:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 371K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

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BSC085N025SG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.82
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：52 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC085N025SG 数据手册

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BSC085N025S G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
25  
8.5  
35  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for notebook DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1 for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Logic level / N-channel  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
PG-TDSON-8  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• dv /dt rated  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Type  
Package  
Marking  
BSC085N025S G  
PG-TDSON-8  
85N025S  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
35  
35  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
R
14  
thJA=45 K/W2)  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
140  
120  
I D=35 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=35 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=150 °C  
V GS  
P tot  
Gate source voltage  
Power dissipation  
±20  
52  
V
T C=25 °C  
T A=25 °C,  
W
2.8  
R
thJA=45 K/W2)  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
Rev. 0.94  
page 1  
2006-05-10  
1234567...10

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BSC085N025SG 替代型号

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