5秒后页面跳转
BSC084P03NS3EG PDF预览

BSC084P03NS3EG

更新时间: 2024-09-25 09:00:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 286K
描述
OptiMOS P3 Power-Transistor

BSC084P03NS3EG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.67雪崩能效等级(Eas):105 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):78.6 A
最大漏极电流 (ID):14.9 A最大漏源导通电阻:0.0084 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F5
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSC084P03NS3EG 数据手册

 浏览型号BSC084P03NS3EG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC084P03NS3EG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC084P03NS3EG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC084P03NS3EG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC084P03NS3EG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC084P03NS3EG的Datasheet PDF文件第7页 
BSC084P03NS3E G  
OptiMOSTM P3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
-30  
8.4  
V
• single P-Channel in SuperSO8  
• Qualified according JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
-78.6  
• 150 °C operating temperature  
PG-TDSON-8  
• 100% Avalanche tested  
V GS=25 V, specially suited for notebook applications  
• ESD protected  
• Pb-free; RoHS compliant  
• applications: battery management, load switching  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Marking  
Lead free  
Halogen free  
Type  
Package  
Packing  
Yes  
084P3NSE Yes  
non dry  
BSC084P03NS3E G PG-TDSON-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=70 °C  
T A=25 °C  
T C=25 °C2)  
-78.6  
-62.9  
Continuous drain current  
A
-14.9  
I D,pulse  
E AS  
-200  
Pulsed drain current  
105  
I D=-50 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
P tot  
±25  
T C =25 °C  
T A=25 °C1)  
69  
Power dissipation  
W
2.5  
T j, T stg  
-55 ... 150  
3 (>= 4 kV)  
260  
Operating and storage temperature  
ESD class  
°C  
°C  
JESD22-A114 HBM  
Soldering temperature  
55/150/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.1  
page 1  
2009-11-16  

BSC084P03NS3EG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSC030P03NS3G INFINEON

功能相似

OptiMOS P3 Power-Transistor
BSC084P03NS3G INFINEON

功能相似

OptiMOS P3 Power-Transistor
BSC060P03NS3EG INFINEON

功能相似

OptiMOS P3 Power-Transistor

与BSC084P03NS3EG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC084P03NS3EGATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
BSC084P03NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOS P3 Power-Transistor
BSC084P03NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
BSC084P03NS3GXT INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon,
BSC085N025S INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
BSC085N025SG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
BSC085N025SG_09 INFINEON

获取价格

OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC088N15LS5 INFINEON

获取价格

The OptiMOS? 5 power MOSFET logic level 150 V family offers the same excellent performance
BSC0901NS INFINEON

获取价格

n-Channel Power MOSFET
BSC0901NSI INFINEON

获取价格

n-Channel Power MOSFET