是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.63 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 45 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 100 A |
最大漏极电流 (ID): | 28 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0026 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 69 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDMS8662 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 49A, 2.0mヘ |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC0901NSI_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet | |
BSC0901NSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC0901NSIXT | INFINEON |
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暂无描述 | |
BSC0902NS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET | |
BSC0902NS_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet | |
BSC0902NSATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC0902NSI | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC0902NSI_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet | |
BSC0902NSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC0904NSI | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |