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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC080N03LSG
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BSC080N03LSG

更新时间： 2024-09-25 09:00:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 386K
描述
OptiMOS?3 Power-MOSFET

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BSC080N03LSG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.14其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：15 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：52 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：34 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：212 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC080N03LSG 数据手册

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BSC080N03LS G  
OptiMOS™3 Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
8
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
53  
PG-TDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC080N03LS G  
PG-TDSON-8  
080N03LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
53  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
33  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
43  
27  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
14  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
212  
45  
Avalanche current, single pulse4)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=35 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
15  
mJ  
I D=50 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=150 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 1.25  
page 1  
2009-11-03  
1234567...10

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