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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.63 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 28 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 69 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CSD16407Q5 | TI |
功能相似  |
N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC0901NSI | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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| BSC0901NSI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
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| BSC0901NSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC0901NSIXT | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BSC0902NS | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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| BSC0902NS_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
|
| BSC0902NSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC0902NSI | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC0902NSI_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
|
| BSC0902NSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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