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BSC080N12LS G

更新时间： 2024-09-26 11:14:11

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英飞凌 - INFINEON		开关栅驱动控制器电信微控制器栅极
页数	文件大小	规格书
13页	1772K
描述
逻辑电平 OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 特别适用于充电、适配器和电信等应用。该器件栅极电荷低，可降低开关损耗，而不影响导通损耗。逻辑电平 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。

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BSC080N12LS G 数据手册

BSC080N12LS

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ3ꢀPower-Transistor,ꢀ120ꢀV

PG-TDSON-8

Features

•ꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀRDS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)

•ꢀ150ꢀ°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀIdealꢀforꢀhigh-frequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

Pin 1

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Drain

Pin 5-8

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Gate

Pin 4

Parameter

Value

120

8.0

Unit

Source

Pin 1-3

V_DS

*1: Internal body diode

R_DS(on),max

I_D

mΩ

Q_oss

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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BSC080N12LS

PG-TDSON-8

080N12LS

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2022-11-09

12 3 4 5 6 7...13

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