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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 248 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 16 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 89 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC080P03LSGAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSC082N10LSG | INFINEON |
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OptiMOSâ¢2 Power-Transistor |
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| BSC084P03NS3 G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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| BSC084P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor |
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| BSC084P03NS3EGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, |
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| BSC084P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor |
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| BSC084P03NS3GATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, |
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| BSC084P03NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, |
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| BSC085N025S | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC085N025SG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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