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BSC0902NSATMA1 PDF预览

BSC0902NSATMA1

更新时间： 2024-09-25 21:14:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 760K
描述
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC0902NSATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.86
雪崩能效等级（Eas）：40 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.0035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC0902NSATMA1 数据手册

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BSC0902NS  
OptiMOSTM Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
VDS  
30  
V
• Optimized for high performance Buck converter  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• 100% avalanche tested  
RDS(on),max  
ID  
2.6  
100  
16  
mW  
A
QOSS  
nC  
nC  
• Superior thermal resistance  
QG(0V..10V)  
26  
• N-channel  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-TDSON-8  
Type  
Package  
Marking  
0902NS  
BSC0902NS  
PG-TDSON-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
100  
67  
A
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
91  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
58  
24  
V GS=10 V, T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
400  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=40 A, R GS=25 W  
40  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.2  
page 1  
2013-05-14  
1234567...10

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BSC0902NSATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSC077N12NS3G INFINEON

完全替代

 OptiMOS3 Power-Transistor
BSC100N03MSGATMA1 INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSC050NE2LS INFINEON

功能相似

 n-Channel Power MOSFET

与BSC0902NSATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC0902NSI INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC0902NSI_15 INFINEON

获取价格

 		Material Content Data Sheet
BSC0902NSIATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成

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