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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.66 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 14 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 78 A | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0052 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 37 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 312 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STL100NHS3LL | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 30V - 0.0032Ω - 22A - PowerFLAT™ (6 |
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| STSJ100NHS3LL | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic scho |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC0904NSIATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC0906NS | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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| BSC0906NSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC0908NS | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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| BSC0909NS | INFINEON |
获取价格 |
n-Channel Power MOSFET |
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| BSC090N03LS G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| BSC090N03LSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-MOSFET |
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| BSC090N03MSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSC090N03MSGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC0910NDI | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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