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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 105 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14.9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0084 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC085N025S | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC085N025SG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| BSC085N025SG_09 | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor |
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| BSC088N15LS5 | INFINEON |
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The OptiMOS? 5 power MOSFET logic level 150 V family offers the same excellent performance |
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| BSC0901NS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSC0901NSI | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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| BSC0901NSI_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| BSC0901NSIATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC0901NSIXT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| BSC0902NS | INFINEON |
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n-Channel Power MOSFET |
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