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BSC0902NSIATMA1

更新时间: 2024-09-25 20:56:07
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 1428K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

BSC0902NSIATMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数:8Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:26 weeks
风险等级:1.63雪崩能效等级(Eas):20 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):23 A
最大漏源导通电阻:0.0037 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSC0902NSIATMA1 数据手册

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BSC0902NSI  
MOSFET  
OptiMOSTMꢀPower-MOSFET,ꢀꢀ30ꢀV  
SuperSO8  
5
8
6
7
7
Features  
6
5
8
•ꢀOptimizedꢀSyncFETꢀforꢀhighꢀperformanceꢀbuckꢀconverter  
•ꢀIntegratedꢀmonolithicꢀSchottky-likeꢀdiode  
•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)ꢀ@ꢀVGS=4.5ꢀV  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
4
3
•ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance  
1
2
2
•ꢀN-channel  
3
1
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDEC1)ꢀꢀforꢀtargetꢀapplications  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
4
S 1  
8 D  
7 D  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
S 2  
S 3  
G 4  
Parameter  
Value  
Unit  
6 D  
5 D  
VDS  
30  
V
RDS(on),max  
ID  
2.8  
100  
17  
m  
A
QOSS  
nC  
nC  
QG(0V..10V)  
24  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
BSC0902NSI  
PG-TDSON-8  
0902NSI  
-
1) J-STD20 and JESD22  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2016-02-03  

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