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BSC0902NSI

更新时间： 2024-11-29 20:54:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 634K
描述
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC0902NSI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.62
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.0037 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：48 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC0902NSI 数据手册

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BSC0902NSI  
OptiMOSTM Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
VDS  
30  
2.8  
100  
17  
V
• Optimized SyncFET for high performance buck converter  
• Integrated monolithic Schottky-like diode  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• 100% avalanche tested  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
QOSS  
nC  
nC  
QG(0V..10V)  
24  
• Superior thermal resistance  
• N-channel  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-TDSON-8  
Type  
Package  
Marking  
0902NSI  
BSC0902NSI  
PG-TDSON-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
100  
65  
A
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
89  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
56  
23  
V GS=10 V, T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
400  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=40 A, R GS=25 W  
30  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain  
connection. PCB is vertical in still air.  
Rev. 2.2  
page 1  
2013-05-16  
1234567...10

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与BSC0902NSI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC0902NSI_15 INFINEON

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 		Material Content Data Sheet
BSC0902NSIATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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