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BSC082N10LSG

更新时间: 2024-09-25 12:50:03
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英飞凌 - INFINEON /
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10页 441K
描述
OptiMOS™2 Power-Transistor

BSC082N10LSG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.27
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):377 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):100 A
最大漏极电流 (ID):13.8 A最大漏源导通电阻:0.0082 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-F5
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):156 W最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

BSC082N10LSG 数据手册

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BSC082N10LS G  
OptiMOS™2 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
100  
8.2  
V
Features  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• N-channel, logic level  
100  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 150 °C operating temperature  
PG-TDSON-8  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC082N10LS G  
PG-TDSON-8  
082N10LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
100  
65  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
R
13.8  
thJA=45 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
400  
377  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
156  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
1)J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.07  
page 1  
2009-11-03  

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