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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 377 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0079 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 156 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC079N10NSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC0802LS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
|
| BSC080N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-MOSFET |
|
| BSC080N03MSG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSC080N03MSG | ADI |
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Synchronous Buck Controller |
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| BSC080N03MSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| BSC080N12LS G | INFINEON |
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逻辑电平 OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 特别适用于 充电、 适配器 和 电信等 |
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| BSC080P03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™-P Power-Transistor |
|
| BSC080P03LSGAUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| BSC082N10LSG | INFINEON |
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OptiMOSâ¢2 Power-Transistor |
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