是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 8.47 |
雪崩能效等级(Eas): | 377 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 13.4 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0079 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC0802LS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
BSC080N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-MOSFET | |
BSC080N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET | |
BSC080N03MSG | ADI |
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Synchronous Buck Controller | |
BSC080N03MSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0102ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC080N12LS G | INFINEON |
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逻辑电平 OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 特别适用于 充电、 适配器 和 电信等 | |
BSC080P03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™-P Power-Transistor | |
BSC080P03LSGAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
BSC082N10LSG | INFINEON |
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OptiMOSâ¢2 Power-Transistor | |
BSC084P03NS3 G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |