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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC079N03SG
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BSC079N03SG

更新时间： 2024-11-05 06:44:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
10页 381K
描述
OptiMOS™2 Power-Transistor

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BSC079N03SG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.65Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：14.6 A最大漏源导通电阻：0.0116 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSC079N03SG 数据手册

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BSC079N03S G  
Product Summary  
OptiMOS™2 Power-Transistor  
Features  
V DS  
30  
7.9  
40  
V
R DS(on),max  
I D  
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for notebook DC/DC converters  
mΩ  
A
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
PG-TDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC079N03S G  
PG-TDSON-8  
79N03S  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
40  
40  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
R
14.6  
thJA=45 K/W2)  
T C=25 °C3)  
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
160  
120  
I D=40 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=40 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=150 °C  
V GS  
P tot  
Gate source voltage  
Power dissipation  
±20  
60  
V
T C=25 °C  
T A=25 °C,  
W
2.8  
R
thJA=45 K/W2)  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
°C  
Rev. 1.91  
page 1  
2009-10-27  
1234567...10

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