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BSC076N04ND

更新时间： 2024-11-06 11:13:19

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	1188K
描述
OptiMOS™ power transistor 40V

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BSC076N04ND 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BSC076N04ND 数据手册

BSC076N04ND

MOSFET

OptiMOS^TM-T2ꢀPowerꢀTransistor,ꢀ40ꢀV

PG-TDSON-8-4

Features

·ꢀDualꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

·ꢀFastꢀswitchingꢀMOSFETs

·ꢀOptimizedꢀtechnologyꢀforꢀdrivesꢀapplications

·ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance

·ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

·ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

·ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

ProductꢀValidation

Qualifiedꢀforꢀindustrialꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀrelevantꢀtestsꢀof

JEDEC47/20/22

D1 D1 D2 D2

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

Unit

V_DS

S1 G1 S2 G2

R_DS(on),max

I_D

7.6

mΩ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

SSO8 dual (TDSON-8-4)

Marking

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BSC076N04ND

076N04ND

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2018-12-11

12 3 4 5 6 7...11

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