Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC077N12NS3G

BSC077N12NS3G

更新时间： 2024-11-24 06:44:23

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英飞凌 - INFINEON		/
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10页	438K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

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BSC077N12NS3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
雪崩能效等级（Eas）：	330 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	120 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	98 A	最大漏极电流 (ID)：	13.4 A
最大漏源导通电阻：	0.0077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	139 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	392 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSC077N12NS3G 数据手册

BSC077N12NS3 G

OptiMOS^TM3 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

120

7.7

Features

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

PG-TDSON-8

• 150 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC077N12NS3 G

PG-TDSON-8

077N12NS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _A=25 °C,

13.4

_thJA=45 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

392

330

I _D=50 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

139

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 2.5

page 1

2009-10-21

12 3 4 5 6 7...10

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BSC077N12NS3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSC100N03MSGATMA1	INFINEON	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSC050NE2LS	INFINEON	完全替代	n-Channel Power MOSFET
BSC0902NS	INFINEON	完全替代	n-Channel Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC077N12NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 120V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC077N12NS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 120V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC079N03LSCGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0127ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC079N03S	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
BSC079N03SG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC079N03SGAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14.6A I(D), 30V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC079N10NSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?2 Power-Transistor
BSC079N10NSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC0802LS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
BSC080N03LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS?3 Power-MOSFET

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