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BSC100N03MSGATMA1

更新时间： 2024-09-26 03:11:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	524K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC100N03MS G

OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

Product Summary

Features

V_DS

• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R_DS(on),max

• Low FOM_SWfor High Frequency SMPS

V_GS=10 V

V_GS=4.5 V

• 100% avalanche tested

I_D

PG-TDSON-8

• N-channel

• Very low on-resistance R _DS(on)@ V _GS=4.5 V

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Superior thermal resistance

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC100N03MS G

PG-TDSON-8

100N03MS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

V _GS=10 V, T _C=25 °C

V _GS=10 V, T _C=100 °C

Continuous drain current

V _GS=4.5 V, T _C=25 °C

V _GS=4.5 V,

T _C=100 °C

V _GS=4.5 V, T _A=25 °C,

R _thJA=50 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

176

Avalanche current, single pulse⁴⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

T _C=25 °C

E _AS

V _GS

I _D=30 A, R _GS=25 W

±20

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 2.1

page 1

2013-05-21

12 3 4 5 6 7...10

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