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BSC072N04LD

更新时间： 2024-11-06 11:14:39
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
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10页 1132K
描述
OptiMOS™ power transistor 40V

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BSC072N04LD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.42Samacsys Description：MOSFET OptiMOSTM-T2PowerTransistor,40V DualN-channel,logiclevel
雪崩能效等级（Eas）：87 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.0072 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC072N04LD 数据手册

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BSC072N04LD  
MOSFET  
OptiMOSTM-T2ꢀPowerꢀTransistor,ꢀ40ꢀV  
PG-TDSON-8-4  
8
4
1
7
6
5
2
Features  
·ꢀDualꢀN-channel,ꢀlogicꢀlevel  
3
4
·ꢀFastꢀswitchingꢀMOSFETsꢀforꢀSMPS  
·ꢀOptimizedꢀtechnologyꢀforꢀSynchronousꢀRectification  
·ꢀPb-freeꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
·ꢀ100%ꢀAvalancheꢀtested  
·ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
·ꢀSuperiorꢀthermalꢀresistance  
1
8
7
6
2
3
5
ProductꢀValidation  
Qualifiedꢀforꢀindustrialꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀrelevantꢀtestsꢀof  
JEDEC47/20/22  
D1 D1 D2 D2  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
Unit  
VDS  
40  
V
S1 G1 S2 G2  
RDS(on),max  
ID  
7.2  
mΩ  
A
20  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
SSO8 dual (TDSON-8-4)  
Marking  
RelatedꢀLinks  
BSC072N04LD  
072N04LD  
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2018-12-11  
1234567...10

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