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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 5.74 | 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 14.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC060P03NS3E G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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| BSC060P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor |
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| BSC061N08NS5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi |
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| BSC065N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSC066N06NS | INFINEON |
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OptiMOS ? 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如 |
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| BSC067N06LS3 G | INFINEON |
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OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| BSC067N06LS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC067N06LS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC0702LS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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