5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSC060N10NS3G
BSC060N10NS3G PDF预览

BSC060N10NS3G

更新时间： 2024-09-25 06:44:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 415K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

BSC060N10NS3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：2.34雪崩能效等级（Eas）：230 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A
最大漏极电流 (ID)：14.9 A最大漏源导通电阻：0.006 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

BSC060N10NS3G 数据手册

 浏览型号BSC060N10NS3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC060N10NS3G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC060N10NS3G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC060N10NS3G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC060N10NS3G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC060N10NS3G的Datasheet PDF文件第7页 
BSC060N10NS3 G  
OptiMOSTM3 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
100  
6
V
Features  
R DS(on),max  
I D  
• Very low gate charge for high frequency applications  
• Optimized for dc-dc conversion  
mΩ  
A
90  
• N-channel, normal level  
PG-TDSON-8  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• 150 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC060N10NS3 G  
PG-TDSON-8  
060N10NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
90  
66  
A
T C=100 °C  
T A=25 °C,  
R
14.9  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
360  
230  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
125  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
Rev. 2.4  
page 1  
2009-10-21  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

BSC060N10NS3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSC080N03MSG INFINEON

完全替代

 OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
BSC077N12NS3G INFINEON

完全替代

 OptiMOS3 Power-Transistor
BSC057N03MSG INFINEON

完全替代

 OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

与BSC060N10NS3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC060N10NS3GXT INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC060P03NS3E G INFINEON

获取价格

 		英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足
BSC060P03NS3EG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS P3 Power-Transistor
BSC061N08NS5 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi
BSC065N06LS5 INFINEON

获取价格

 		英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应
BSC066N06NS INFINEON

获取价格

 		OptiMOS ? 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如
BSC067N06LS3 G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
BSC067N06LS3G INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor
BSC067N06LS3GATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC067N06LS3GXT INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与BSC060N10NS3G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证