BSC057N03MSG

更新时间： 2024-11-24 06:44:19

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10页	294K
描述
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

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BSC057N03MSG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
雪崩能效等级（Eas）：	25 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	71 A	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.0072 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	284 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSC057N03MSG 数据手册

BSC057N03MS G

OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

Product Summary

Features

V _DS

5.7

7.2

• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)

• Low FOM_SWfor High Frequency SMPS

• 100% avalanche tested

R _DS(on),max

_GS=10 V

_GS=4.5 V

mΩ

I _D

• N-channel

PG-TDSON-8

• Very low on-resistance R _DS(on)@ V _GS=4.5 V

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Superior thermal resistance

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC057N03MS G

PG-TDSON-8

057N03MS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

_GS=10 V, T _C=25 °C

Continuous drain current

_GS=10 V, T _C=100 °C

_GS=4.5 V, T _C=25 °C

_GS=4.5 V,

T _C=100 °C

_GS=4.5 V, T _A=25 °C,

_thJA=50 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

284

Avalanche current, single pulse⁴⁾

T _C=25 °C

E _AS

I _D=40 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=24 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=150 °C

V _GS

Gate source voltage

¹⁾J-STD20 and JESD22

±16

Rev. 1.15

page 1

2009-10-22

12 3 4 5 6 7...10

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BSC057N03MSG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSC077N12NS3G	INFINEON	完全替代	OptiMOS3 Power-Transistor
BSC060N10NS3G	INFINEON	完全替代	OptiMOS3 Power-Transistor
BSC020N03MSG	INFINEON	类似代替	OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

与BSC057N03MSG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BSC057N08NS3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC059N03S	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor
BSC059N03SG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC059N03SGAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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