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BSC059N03SGXT

更新时间： 2024-09-25 19:58:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 634K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC059N03SGXT 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：17.5 A最大漏源导通电阻：0.0086 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC059N03SGXT 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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