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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC060N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC060N10NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC060P03NS3E G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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| BSC060P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor |
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| BSC061N08NS5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi |
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| BSC065N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSC066N06NS | INFINEON |
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OptiMOS ? 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如 |
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| BSC067N06LS3 G | INFINEON |
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OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| BSC067N06LS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC067N06LS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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