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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.67 | 雪崩能效等级（Eas）： | 10 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 49 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0084 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 236 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC059N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor |
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| BSC059N04LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC060N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| BSC060N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSC060N10NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSC060P03NS3E G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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| BSC060P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor |
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| BSC061N08NS5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi |
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| BSC065N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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| BSC066N06NS | INFINEON |
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OptiMOS ? 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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