是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.76 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 25 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (ID): | 16 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0059 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 292 A |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC060N10NS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
BSC060N10NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSC060N10NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC060P03NS3E G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 | |
BSC060P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor | |
BSC061N08NS5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi | |
BSC065N06LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 | |
BSC066N06NS | INFINEON |
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OptiMOS ? 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化,例如 | |
BSC067N06LS3 G | INFINEON |
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OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器 | |
BSC067N06LS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |