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BSC059N04LSGXT

更新时间: 2024-11-24 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 385K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

BSC059N04LSGXT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):25 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (ID):16 A
最大漏源导通电阻:0.0059 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):292 A
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSC059N04LSGXT 数据手册

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BSC059N04LS G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
40  
5.9  
73  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
PG-TDSON-8  
• N-channel; Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• 100% Avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC059N04LS G  
PG-TDSON-8  
059N04LS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
73  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
46  
V
V
GS=4.5 V, T C=25 °C  
62  
39  
GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
16  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
292  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
25  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.04  
page 1  
2009-10-22  

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