BSC059N03S

更新时间： 2024-09-24 22:17:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	300K
描述
OptiMOS2 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSC059N03S 数据手册

BSC059N03S

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

5.5

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for notebook DC/DC converters

• Qualified according to JEDEC¹for target applications

• N-channel

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Logic level

P-TDSON-8

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Superior thermal resistance

• Avalanche rated

• dv /dt rated

Type

Package

Ordering Code Marking

Q67042-S4222 59N03S

BSC059N03S

P-TDSON-8

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _A=25 °C,

17.5

R _thJA=45 K/W²⁾

T _C=25 °C³⁾

I _D,pulse

E _AS

Pulsed drain current

200

150

I _D=50 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=24 V,

di /dt =200 A/µs,

T _j,max=150 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

V _GS

P _tot

Gate source voltage

Power dissipation

±20

T _C=25 °C

T _A=25 °C,

2.8

R _thJA=45 K/W²⁾

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

°C

Rev. 1.2

page 1

2004-04-13

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

BSC059N03S 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSC042N03LSG	INFINEON	类似代替	OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSC0909NS	INFINEON	功能相似	n-Channel Power MOSFET

与BSC059N03S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC059N03SG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC059N03SGAUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC059N03SGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSC059N04LS G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和
BSC059N04LS6	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 40V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC059N04LSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-Transistor
BSC059N04LSGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 40V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC060N10NS3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
BSC060N10NS3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
BSC060N10NS3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,