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BSC059N03SGAUMA1

更新时间： 2024-11-13 19:58:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 634K
描述
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC059N03SGAUMA1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：17.5 A最大漏源导通电阻：0.0086 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC059N03SGAUMA1 数据手册

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