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BSC042N03LSG

更新时间： 2024-09-25 06:44:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
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描述
OptiMOS™3 Power-MOSFET

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BSC042N03LSG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, PLASTIC, TDSON-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	93 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.0065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	57 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	372 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSC042N03LSG 数据手册

BSC042N03LS G

Product Summary

OptiMOS™3 Power-MOSFET

Features

V _DS

4.2

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for DC/DC converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

PG-TDSON-8

• N-channel; Logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Superior thermal resistance

• Avalanche rated

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

BSC042N03LS G

PG-TDSON-8

042N03LS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

_GS=10 V, T _C=25 °C

Continuous drain current

_GS=10 V, T _C=100 °C

_GS=4.5 V, T _C=25 °C

_GS=4.5 V,

T _C=100 °C

_GS=10 V, T _A=25 °C,

_thJA=50 K/W²⁾

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

372

Avalanche current, single pulse⁴⁾

T _C=25 °C

E _AS

I _D=40 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=24 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=150 °C

V _GS

Gate source voltage

¹⁾J-STD20 and JESD22

±20

Rev. 1.25

page 1

2009-10-22

12 3 4 5 6 7...10

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BSC042N03LSG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSC883N03LSG	INFINEON	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC886N03LSG	INFINEON	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC059N03SG	INFINEON	类似代替	OptiMOS™2 Power-Transistor

与BSC042N03LSG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSC042N03LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC042N03MS G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
BSC042N03MSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSC042N03MSG	ADI	获取价格	Synchronous Buck Controller
BSC042N03MSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC042N03MSGXT	INFINEON	获取价格	暂无描述
BSC042N03S	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor
BSC042N03SG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC042N03SGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC042NE7NS3 G	INFINEON	获取价格	75V OptiMOS™技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术，这些75V产品同时具

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