5秒后页面跳转
BSC054N04NS G PDF预览

BSC054N04NS G

更新时间: 2024-11-25 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关电机服务器转换器
页数 文件大小 规格书
10页 518K
描述
OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和台式机。此外,这些器件可用于电机控制变器和快速开关直流-直流转换器等广泛工业应用。

BSC054N04NS G 数据手册

 浏览型号BSC054N04NS G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSC054N04NS G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSC054N04NS G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSC054N04NS G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSC054N04NS G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSC054N04NS G的Datasheet PDF文件第7页 
BSC054N04NS G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
5.4  
81  
V
Features  
RDS(on),max  
ID  
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
mW  
A
PG-TDSON-8  
• N-channel; Normal level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• 100% Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC054N04NS G  
PG-TDSON-8  
054N04NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
81  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
A
52  
V GS=10 V, T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
17  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
324  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=50 A, R GS=25 W  
35  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.1  
page 1  
2013-05-17  

与BSC054N04NS G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSC054N04NSG INFINEON

获取价格

OptiMOS™3 Power-Transistor
BSC057N03LSG INFINEON

获取价格

OptiMOSTM3 Power-MOSFET
BSC057N03LSGXT INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC057N03MSG INFINEON

获取价格

OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
BSC057N08NS3 G INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源
BSC057N08NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOS3 Power-Transistor
BSC057N08NS3GATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC059N03S INFINEON

获取价格

OptiMOS2 Power-Transistor
BSC059N03SG INFINEON

获取价格

OptiMOS™2 Power-Transistor
BSC059N03SGAUMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,