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BSC054N04NSG

更新时间： 2024-09-25 06:44:19
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英飞凌 - INFINEON /
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10页 386K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor

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BSC054N04NSG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
雪崩能效等级（Eas）：35 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：81 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.0054 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：57 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：324 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC054N04NSG 数据手册

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BSC054N04NS G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
V DS  
40  
5.4  
81  
V
Features  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
PG-TDSON-8  
• N-channel; Normal level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• 100% Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC054N04NS G  
PG-TDSON-8  
054N04NS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
81  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
52  
V
R
GS=10 V, T A=25 °C,  
17  
thJA=50 K/W2)  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
324  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
35  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 1.04  
page 1  
2009-10-22  
1234567...10

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