型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BSC883N03LSG | INFINEON |
完全替代 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC886N03LSG | INFINEON |
完全替代 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC057N03LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC057N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET | |
BSC057N08NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
BSC057N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSC057N08NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC059N03S | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor | |
BSC059N03SG | INFINEON |
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OptiMOS™2 Power-Transistor | |
BSC059N03SGAUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC059N03SGXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSC059N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和 |