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BSC886N03LSG

更新时间： 2024-09-25 19:58:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	668K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC886N03LSG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	20 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	65 A
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.0092 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N5
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	39 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSC886N03LSG 数据手册

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BSC886N03LSG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSC020N03LSG	INFINEON	完全替代	OptiMOSâ¢3 Power-MOSFET
BSC057N03LSG	INFINEON	完全替代	OptiMOSTM3 Power-MOSFET
BSC042N03LSG	INFINEON	完全替代	OptiMOS™3 Power-MOSFET

与BSC886N03LSG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BSC889N03LSG	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSC889N03LSGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
BSC889N03MSG	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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