是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 168 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A |
最大漏极电流 (ID): | 18 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0082 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 54 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSC052N08NS5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi | |
BSC052N08NS5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 80V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC054N04NS G | INFINEON |
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OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和 | |
BSC054N04NSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor | |
BSC057N03LSG | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-MOSFET | |
BSC057N03LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSC057N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET | |
BSC057N08NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
BSC057N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSC057N08NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |