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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SOP-8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 1.72 | 雪崩能效等级（Eas）： | 7 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0047 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 288 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSC050N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
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| BSC050N03LSG | INFINEON |
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OptiMOSâ¢3 Power-MOSFET |
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| BSC050N03LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC050N03LSGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC050N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSC050N03MSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC050N04LS G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和 |
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| BSC050N04LSG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| BSC050N04LSGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 40V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSC050N10NS5 | INFINEON |
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OptiMOS? 5 100V power MOSFETs are especially |
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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