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BSC050N03MSGATMA1

更新时间： 2024-09-25 14:50:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 468K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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BSC050N03MSGATMA1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：7.85Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：35 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.0063 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSC050N03MSGATMA1 数据手册

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BSC050N03MS G  
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
VDS  
30  
5
V
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max  
• Low FOMSW for High Frequency SMPS  
VGS=10 V  
VGS=4.5 V  
mW  
6.3  
80  
• 100% avalanche tested  
ID  
A
PG-TDSON-8  
• N-channel  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Superior thermal resistance  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSC050N03MS G  
PG-TDSON-8  
050N03MS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
80  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
V GS=10 V, T C=100 °C  
Continuous drain current  
A
51  
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
72  
45  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
V GS=4.5 V, T A=25 °C,  
R thJA=50 K/W2)  
16  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
320  
50  
Avalanche current, single pulse4)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T C=25 °C  
E AS  
V GS  
I D=40 A, R GS=25 W  
35  
mJ  
V
±20  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.1  
page 1  
2013-05-17  
1234567...10

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